三星電子第二季營業利潤較一年前飆升約19倍，大幅超越市場預期，預計其季度營業利潤將位居全球最高。

北京時間週二，三星在初步業績報告中披露，今年4至6月營業利潤預計達89.4萬億韓元（約合584億美元），刷新季度歷史記錄，較上季度環比增長56%，分析師此前的平均預測為84.2萬億韓元。

同期營收預計達171兆韓元，超出市場預估的169.2兆韓元，並較上年同期成長約129%。本公司預定於7月30日公佈完整財報，屆時將揭露淨利及各業務部門分類資料。

三星電子的季度營業利潤，已超過英偉達上季度535.36億美元（約82兆韓元）的營業利潤，使其成為全球季度營業利潤最高的公司。繼第一季名列全球前三名之後，三星如今已躍居榜首。

這項業績可望在一定程度上緩解市場對AI算力投資永續性的疑慮。全球半導體板塊今年稍早已漲至歷史高位，但近期因擔憂競爭加劇、潛在產能過剩及巨額投資回報前景不明而承壓震盪。

代工與邏輯晶片業務構成拖累

儘管儲存業務表現亮眼，三星整體業績仍面臨內部結構性壓力。

分析師預計，公司代工及邏輯晶片（LSI）業務的虧損在本季可能有所擴大，部分原因在於獎金費用按比例計入半導體部門整體成本。

今年5月，三星與晶片部門員工達成薪酬協議，將績效獎金與營業利潤掛鉤，並規定在滿足特定盈利指標的前提下，撥出半導體部門全年營業利潤的10.5%用於特別獎金。

部分分析師表示，若未提列這筆撥備，三星的營業利潤將進一步超出市場預期。

晶片價格大幅上漲，短缺延伸至傳統儲存

推動三星業績的核心邏輯在於記憶體晶片供應的持續緊張。

AI資料中心對高頻寬儲存（HBM）的旺盛需求促使製造商將產能向高階產品傾斜，由此引發傳統DRAM和NAND記憶體晶片供給不足，推動價格全面上行。

根據匯豐銀行數據，今年4至6月，DRAM平均售價較上季漲幅超過40%，NAND價格漲幅則超過50%。花旗研究的數據與此接近，顯示同期DRAM和NAND均價分別較上季上漲44%和53%。

分析師也指出，客戶正越來越多地尋求簽訂較長期的供貨協議，這進一步強化了市場對儲存價格將維持高位的預期，並有利於三星等具備大規模產能的廠商。

英偉達CEO黃仁勳及OpenAI營運長Brad Lightcap等高階主管均曾公開表示，記憶體晶片供給不足正制約AI基礎設施擴張的步伐。

分析師預計，這項短缺局面至少將持續至2027年，這為三星及競爭對手SK海力士和美光科技提供了相當可觀的定價能力。

值得注意的是，HBM產能的快速擴張帶來了"替代效應"。傳統記憶體晶片的供應隨之收緊，不僅影響智慧型手機、個人電腦等消費性電子產品的生產成本，也令企業伺服器市場承壓。

在股價表現上，三星今年以來累計漲幅約165%，但跑輸競爭對手SK海力士約260%的漲幅。

兩者差距主要源自於產品結構差異。SK海力士的業務更集中在AI運算需求的高階記憶體晶片，而三星的產品組合則更為多元，橫跨晶片與消費性電子領域。

從國家戰略層面來看，韓國政府將兩家公司視為爭取全球AI領導地位的核心支柱。

華爾街見聞提及，三星集團與SK集團計劃各在韓國西南部興建兩座晶片工廠，合計投資規模達800兆韓元，以快速擴充產能。

韓國目標在五年內將記憶體晶片產能翻倍。三星已宣布2026年將投入逾700億美元用於產能擴張與研發。